最新网址 fxsc2.com
见周小慧还是有些不懂，苏远山便放弃了解释, 直接道：“反正就是, 我们以前所说的制程就是指的mosfet结构中的沟道长度。沟道越短，电阻越小，性能越高，同时晶体管密度也就越大，所以才要不断提升制程。”
“哦？然后呢？”
“然后就是如果还是沿用以前mosfet结构的话，当沟道长度越来越短，譬如22nm之后，源极和漏极之间也会越来越近，电场也越来越近。”苏远山说着伸出双手靠近，然后把自己的笔记本放在手上：“我的两只手就是源极和漏极，电流从源极流入，漏极流出，并产生电场，当它们距离过近，就会干扰到上面的栅极，从而漏电——我们把这个效应称为短沟道效应。”
“而finfet结构就是为了解决这个问题而诞生的，甚至还因为它的结构是把晶体管竖了起来——譬如我竖起了手掌——从而可以获得更高的晶体管密度之外, 还能很好地解决短沟道效应。所以, 从目前来看，22n结构的一个分水岭。”
请关闭-畅*读/模式阅读。
关闭+畅/读=模式,看完整内容。本章未完,请点击【下一页】继续阅读。